Equipe 2: Calcul Numérique des Structures
Présentation de l'équipe :
Chef d'équipe : Pr. LAKHDARA Maya
L’équipe « Micro et nanostructures Silicium (MNS) » développe des activités de recherche dédiées à l’étude des composants micro- et nanométriques à base de silicium. Les travaux portent principalement sur la modélisation physique et compacte des dispositifs électroniques avancés, en intégrant des approches théoriques, numériques et expérimentales afin d’optimiser les performances des technologies micro- et nanoélectroniques.
Code : E1963102
Acronyme : MNS
Membres de l'équipe
| Nom Prénom | Grade | Affiliation |
|---|---|---|
| LAKHDARA Maya | Professeur | Université Frères Mentouri Constantine 1 |
| BENSEGUENI Rachida | MCB | Université Frères Mentouri Constantine 1 |
| Kara Mostefa Zohra | MCB | Université Frères Mentouri Constantine 1 |
| Fares Zakia | MCB | Université Frères Mentouri Constantine 1 |
| Labiod Samir | MCA | Université 20 Aout 1955 - Skikda |
| Smaani Billel | MCA | Centre Universitaire de Mila - Abdelhafid Boussouf |
| Merzougui Amina | MCA | Université de Oum El Bouaghi - Larbi Ben M'hidi |
| Boulcina Fayçal | MCA | Université 8 Mai 1945 de Guelma |
| Boulgheb Abdelaaziz | MCB | USTHB - Houari Boumediène |
| Manel Bouhouche | MCA | Université de Oum El Bouaghi - Larbi Ben M'hidi |
| Khreieff Nousra | Doctorante | Université Frères Mentouri Constantine 1 |
| Lachkhab Chems El Ghizlene | Doctorante | Université Frères Mentouri Constantine 1 |
| Mansouri Yasser | Doctorant | Université Frères Mentouri Constantine 1 |
| ALLELE Aymen | Doctorant | Université Frères Mentouri Constantine 1 |
Objectifs et axes de recherche
Les activités de recherche de l’équipe portent sur la modélisation des composants micro- et nanostructurés sur silicium ainsi que sur le développement d’outils de calcul numérique et de modèles compacts analytiques dédiés à la simulation et à l’optimisation des performances des dispositifs électroniques avancés.
1. Transistors bipolaires à hétérojonction (TBH)
- Étude des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe intégrés en technologies BiCMOS avancées.
- Analyse des caractéristiques statiques et dynamiques des TBH SiGe.
- Optimisation des paramètres technologiques pour les applications Térahertz (THz).
- Étude des effets d’auto-échauffement dans les dispositifs Si/SiGe et de leur impact sur les performances et la fiabilité.
- Développement de solutions technologiques pour l’atténuation des effets thermiques (multi-émetteurs, effet Peltier, etc.).
- Étude de l’influence des isolations STI et DTI.
- Conception et optimisation d’oscillateurs radiofréquences à base de HBT avec réduction du bruit de phase.
2. Diodes PIN
- Étude des diodes PIN comme détecteurs de rayonnement.
- Analyse de la sensibilité, de la réponse spectrale et des performances en environnement contraint.
- Étude de la susceptibilité des composants MOS et PIN aux perturbations électromagnétiques par la méthode FDTD.
3. Transistors MOS nanométriques
- Étude, simulation et modélisation compacte des transistors MOS multi-grilles (DGMOS, SRG MOS, Junctionless MOSFET).
- Optimisation électrostatique et réduction des effets de canal court.
- Exploration des architectures d’intégration 3D et des interconnexions TSV (Through Silicon Via).
- Analyse de l’impact des technologies 3D sur les performances et la fiabilité des circuits CMOS.
Positionnement scientifique
Les travaux de l’équipe s’inscrivent dans une démarche globale reliant modélisation physique, simulation numérique et validation expérimentale afin de proposer des solutions innovantes pour les technologies micro- et nanoélectroniques avancées, notamment dans les domaines des hautes fréquences, de la détection et de l’intégration 3D.